DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION

A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exch...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BERINHOV SERHII BORYSOVYCH, ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH, BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA, YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH, VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH, LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator BERINHOV SERHII BORYSOVYCH
ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH
BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA
YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH
VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH
LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH
description A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exchanger equipped with a support structure and made with the possibility of supply and removalof cooling agent, which are installed in the chamber for growth of silicon ingots. The heat exchanger is additionally equipped with detachable graphite surface made with the possibility of connection with the means for supply and removal of cooling agent of heat exchanger and possibility for contacting with external surface of the crucible bottom, which corresponds to inoculating site. A compressor of axial thrust of displacement is additionally installed on support structure of heat exchanger. Установка для выращивания слитков кремния, приемлемого для изготовления солнечных элементов, методом направленной кристаллизации включает установленные в камее для выращивания слитков кремния тигель, предназначенный для размещения сырья и имеющий затравочный участок для размещения как минимум как минимум одной затравки монокристаллического кремния, нагреватель для плавления сырья, изоляцию и теплообменник, оборудованный опорной конструкцией и выполненный с возможностью подведения и отведения хладагента. Теплообменник дополнительно оборудован съемной графитовой поверхностью, выполненной с возможностью соединения со средствами подведения и отведения хладагента теплообменника и возможностью контактирования с внешней поверхностью дна тигля, соответствующей за Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з можливістю підведення і відведення холодоагенту. Теплообмінник додатково обладнаний знімною графітовою поверхнею, виконаною з можливістю з'єднання з засобами підведення і відведення холодоагенту теплообмінника і можливістю контактування з зовнішньою поверхнею дна тиглю, що відповідає затравочній ділянці. На опорній конструкції теплообмінника додатково встановлений компенсатор осьового зусилля зсуву.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA67361UU</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA67361UU</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA67361UU3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqFyjsKwlAQheE0FqJuQWYDFhKI9XgfycCQCfehxCYEudqIBuL-0QR7qwPn_5bZXZsTKQNWHJROzqECseCJSUkNVJcSPKDGJhg9o8aJjirQt05QGB0ow-zh2IImZ-aGDMq1HpnpgtOxzha3_jGmzW9X2daaoKpdGl5dGof-mp7p3UUsDnmxjzH_Cz65DTSp</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION</title><source>esp@cenet</source><creator>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH ; BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA ; YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH ; VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH ; LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</creator><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH ; BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA ; YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH ; VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH ; LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</creatorcontrib><description>A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exchanger equipped with a support structure and made with the possibility of supply and removalof cooling agent, which are installed in the chamber for growth of silicon ingots. The heat exchanger is additionally equipped with detachable graphite surface made with the possibility of connection with the means for supply and removal of cooling agent of heat exchanger and possibility for contacting with external surface of the crucible bottom, which corresponds to inoculating site. A compressor of axial thrust of displacement is additionally installed on support structure of heat exchanger. Установка для выращивания слитков кремния, приемлемого для изготовления солнечных элементов, методом направленной кристаллизации включает установленные в камее для выращивания слитков кремния тигель, предназначенный для размещения сырья и имеющий затравочный участок для размещения как минимум как минимум одной затравки монокристаллического кремния, нагреватель для плавления сырья, изоляцию и теплообменник, оборудованный опорной конструкцией и выполненный с возможностью подведения и отведения хладагента. Теплообменник дополнительно оборудован съемной графитовой поверхностью, выполненной с возможностью соединения со средствами подведения и отведения хладагента теплообменника и возможностью контактирования с внешней поверхностью дна тигля, соответствующей за Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з можливістю підведення і відведення холодоагенту. Теплообмінник додатково обладнаний знімною графітовою поверхнею, виконаною з можливістю з'єднання з засобами підведення і відведення холодоагенту теплообмінника і можливістю контактування з зовнішньою поверхнею дна тиглю, що відповідає затравочній ділянці. На опорній конструкції теплообмінника додатково встановлений компенсатор осьового зусилля зсуву.</description><language>eng ; rus ; ukr</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20120210&amp;DB=EPODOC&amp;CC=UA&amp;NR=67361U$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20120210&amp;DB=EPODOC&amp;CC=UA&amp;NR=67361U$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</creatorcontrib><title>DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION</title><description>A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exchanger equipped with a support structure and made with the possibility of supply and removalof cooling agent, which are installed in the chamber for growth of silicon ingots. The heat exchanger is additionally equipped with detachable graphite surface made with the possibility of connection with the means for supply and removal of cooling agent of heat exchanger and possibility for contacting with external surface of the crucible bottom, which corresponds to inoculating site. A compressor of axial thrust of displacement is additionally installed on support structure of heat exchanger. Установка для выращивания слитков кремния, приемлемого для изготовления солнечных элементов, методом направленной кристаллизации включает установленные в камее для выращивания слитков кремния тигель, предназначенный для размещения сырья и имеющий затравочный участок для размещения как минимум как минимум одной затравки монокристаллического кремния, нагреватель для плавления сырья, изоляцию и теплообменник, оборудованный опорной конструкцией и выполненный с возможностью подведения и отведения хладагента. Теплообменник дополнительно оборудован съемной графитовой поверхностью, выполненной с возможностью соединения со средствами подведения и отведения хладагента теплообменника и возможностью контактирования с внешней поверхностью дна тигля, соответствующей за Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з можливістю підведення і відведення холодоагенту. Теплообмінник додатково обладнаний знімною графітовою поверхнею, виконаною з можливістю з'єднання з засобами підведення і відведення холодоагенту теплообмінника і можливістю контактування з зовнішньою поверхнею дна тиглю, що відповідає затравочній ділянці. На опорній конструкції теплообмінника додатково встановлений компенсатор осьового зусилля зсуву.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqFyjsKwlAQheE0FqJuQWYDFhKI9XgfycCQCfehxCYEudqIBuL-0QR7qwPn_5bZXZsTKQNWHJROzqECseCJSUkNVJcSPKDGJhg9o8aJjirQt05QGB0ow-zh2IImZ-aGDMq1HpnpgtOxzha3_jGmzW9X2daaoKpdGl5dGof-mp7p3UUsDnmxjzH_Cz65DTSp</recordid><startdate>20120210</startdate><enddate>20120210</enddate><creator>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creator><creator>ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH</creator><creator>BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA</creator><creator>YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH</creator><creator>VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH</creator><creator>LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120210</creationdate><title>DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION</title><author>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH ; BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA ; YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH ; VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH ; LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA67361UU3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus ; ukr</language><creationdate>2012</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</au><au>ANDRIENKO VIKTOR BOHDANOVYCH</au><au>BUCHKOVSKA IRYNA BOHDANIVNA</au><au>YATSIUK SERHII ANATOLIIOVYCH</au><au>VLASENKO TYMUR VIKTOROVYCH</au><au>LIASKOVSKYI OLEKSANDR ANATOLIIOVYCH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION</title><date>2012-02-10</date><risdate>2012</risdate><abstract>A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exchanger equipped with a support structure and made with the possibility of supply and removalof cooling agent, which are installed in the chamber for growth of silicon ingots. The heat exchanger is additionally equipped with detachable graphite surface made with the possibility of connection with the means for supply and removal of cooling agent of heat exchanger and possibility for contacting with external surface of the crucible bottom, which corresponds to inoculating site. A compressor of axial thrust of displacement is additionally installed on support structure of heat exchanger. Установка для выращивания слитков кремния, приемлемого для изготовления солнечных элементов, методом направленной кристаллизации включает установленные в камее для выращивания слитков кремния тигель, предназначенный для размещения сырья и имеющий затравочный участок для размещения как минимум как минимум одной затравки монокристаллического кремния, нагреватель для плавления сырья, изоляцию и теплообменник, оборудованный опорной конструкцией и выполненный с возможностью подведения и отведения хладагента. Теплообменник дополнительно оборудован съемной графитовой поверхностью, выполненной с возможностью соединения со средствами подведения и отведения хладагента теплообменника и возможностью контактирования с внешней поверхностью дна тигля, соответствующей за Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з можливістю підведення і відведення холодоагенту. Теплообмінник додатково обладнаний знімною графітовою поверхнею, виконаною з можливістю з'єднання з засобами підведення і відведення холодоагенту теплообмінника і можливістю контактування з зовнішньою поверхнею дна тиглю, що відповідає затравочній ділянці. На опорній конструкції теплообмінника додатково встановлений компенсатор осьового зусилля зсуву.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus ; ukr
recordid cdi_epo_espacenet_UA67361UU
source esp@cenet
subjects AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE
APPARATUS THEREFOR
CHEMISTRY
CRYSTAL GROWTH
METALLURGY
PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL
SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
SINGLE-CRYSTAL-GROWTH
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
title DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-25T14%3A00%3A03IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=BERINHOV%20SERHII%20BORYSOVYCH&rft.date=2012-02-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA67361UU%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true