DEVICE FOR GROWTH OF SILICON INGOTS ADAPTED FOR PRODUCTION OF SOLAR CELLS BY DIRECTIONAL CRYSALLIZATION
A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exch...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A device for growth of silicon ingots adapted for producing of solar cells by directional crystallization comprises the crucible intended for raw placement, having inoculating site for location at least one inoculant of monocrystal silicon, heater for melting of raw material, isolation and heat exchanger equipped with a support structure and made with the possibility of supply and removalof cooling agent, which are installed in the chamber for growth of silicon ingots. The heat exchanger is additionally equipped with detachable graphite surface made with the possibility of connection with the means for supply and removal of cooling agent of heat exchanger and possibility for contacting with external surface of the crucible bottom, which corresponds to inoculating site. A compressor of axial thrust of displacement is additionally installed on support structure of heat exchanger.
Установка для выращивания слитков кремния, приемлемого для изготовления солнечных элементов, методом направленной кристаллизации включает установленные в камее для выращивания слитков кремния тигель, предназначенный для размещения сырья и имеющий затравочный участок для размещения как минимум как минимум одной затравки монокристаллического кремния, нагреватель для плавления сырья, изоляцию и теплообменник, оборудованный опорной конструкцией и выполненный с возможностью подведения и отведения хладагента. Теплообменник дополнительно оборудован съемной графитовой поверхностью, выполненной с возможностью соединения со средствами подведения и отведения хладагента теплообменника и возможностью контактирования с внешней поверхностью дна тигля, соответствующей за
Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з можливістю підведення і відведення холодоагенту. Теплообмінник додатково обладнаний знімною графітовою поверхнею, виконаною з можливістю з'єднання з засобами підведення і відведення холодоагенту теплообмінника і можливістю контактування з зовнішньою поверхнею дна тиглю, що відповідає затравочній ділянці. На опорній конструкції теплообмінника додатково встановлений компенсатор осьового зусилля зсуву. |
---|