METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALS K2COXNI1-X(SO4)2.6H2O

A method for growing monocrystals K2COXNI1-X(SO4)2.6H2O comprises the evaporation of precursor solution at room temperature. Способ выращивания монокристаллов K2COXNI1-X(SO4)2.6H2O включает выпаривание исходного раствора при комнатной температуре. Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Londar Taras Oleksandrovych, Polovynko Ihor Ivanovych, Koman Volodymyr Bohdanovych, Rykhliuk Serhii Viktorovych
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for growing monocrystals K2COXNI1-X(SO4)2.6H2O comprises the evaporation of precursor solution at room temperature. Способ выращивания монокристаллов K2COXNI1-X(SO4)2.6H2O включает выпаривание исходного раствора при комнатной температуре. Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H2O включає випаровування вихідного розчину при кімнатній температурі.