device for diagnostics of hypoglycemia

A device for diagnostics of hypoglycemia contains a sensor for registration, block of the registration signal processing, block of indicator of the larming signaling of hypoglycemia. The sensor of registration consists of optoelectronic pair infra-red source- photodetector, that is placed on one ends of flat or semicylindrical (hemispheric) parallel plates, and the opening of plataes made by a spring that in static position squeezes ends, where the pair infra-red source -photodetector is placed. On the second ends of these plates a pair of screw-nut or screw-thread is fixed in one of plates. As a photodetector the semiconductor structure of p-n-p-type is used with a grainy area in n- zone. Устройство для диагностики гипогликемии содержит датчик регистрации, блок обработки регистрационного сигнала, блок индикатора тревожной сигнализации гипогликемии. Датчик регистрации состоит из оптоэлектронной пары инфракрасный источник-фотоприемник, который размещен на одних концах плоских или полуцилиндрических (полусферических) параллельных пластин, причем раскрытие пластин осуществлено пружиной, которая в статичном положении сжимает концы, на которых размещена пара инфракрасный источник-фотоприемник. На вторых концах этих пластин закреплена пара винт-гайка или винт-резьба в одной из пластин. В качестве фотоприемника применена полупроводниковая структура p-n-p-типа с зернистой областью в n-зоне. Пристрій для діагностики гіпоглікемії містить датчик реєстрації, блок обробки реєстраційного сигналу, блок індикатора тривожної сигналізації гіпоглікемії. Датчик реєстрації складається з оптоелектронної пари інфрачервоне джерело-фотоприймач, яка розміщена на одних кінцях плоских або півциліндричних (півсферичних) паралельних пластин, причому розкриття пластин здійснено пружиною, яка в статичному положенні стискує кінці, на яких розміщена пара інфрачервоне джерело-фотоприймач. На других кінцях цих пластин закріплено пару гвинт-гайка або гвинт-різьба в одній із пластин. Як фотоприймач застосовано напівпровідникову структуру p-n-p-типу із зернистою областю в n-зоні.