METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NANOCRYSTAL BLOCK

A method for manufacturing silicon nanocrystal blocks of comprises deposition a layer of gold film to p-type semiconductor substrate, growing of nano-crystal mechanism according to mechanism vapor-liquid-crystal. Prior to the growing of silicon nanocrystals thermal annealing of semiconductor substra...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DRUZHYNIN ANATOLII OLEKSANDROVYCH, OSTROVSKYI IHOR PETROVYCH, KHOVERKO YURII MYKOLAIOVYCH, NICHKALO STEPAN IHOROVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for manufacturing silicon nanocrystal blocks of comprises deposition a layer of gold film to p-type semiconductor substrate, growing of nano-crystal mechanism according to mechanism vapor-liquid-crystal. Prior to the growing of silicon nanocrystals thermal annealing of semiconductor substrate is performed. Способ получения массивов нанокристаллов кремния включает осаждение на полупроводниковую кремниевую подкладку р-типа проводимости слоя пленки золота, выращивания в соответствии с механизмом пара-жидкость-кристалл нанокристаллов кремния. Перед выращиванием нанокристаллов кремния дополнительно осуществляют термический отжиг полупроводниковой кремниевой подкладки. Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію. Перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.