method for producing microcrystals from the solid solution InxGa1-xAs

A method for producing microcrystals from the solid solution InxGa1-xAs includes vacuum pumping deposition chamber volume, in which substrate, the sources of indium, arsenic, gallium, transport gas are placed, and heating. HCl is used as a transport gas. Sealed quartz ampoule is used as the deposition chamber. The substrate with the preliminary applicated strips of gold, indium arsenide and gallium arsenide in the solid state are loaded in the chamber, it is vacuum pumped, and filled with hydrogen chloride and placed in a three-zone electric resistance furnace with heating of the source zone of indium arsenide, of the source zone of gallium arsenide and of the crystallization zone of the substrate. The ampoule is maintained till the growing of microcrystals InxGa1-xAs of the required sizes. Способ получения микрокристаллов твердого раствора InxGa1-xAs включает вакуумирование объема камеры осаждения, в которой располагают подкладку, источники индия, мышьяка, галлия, транспортный газ, и нагрев. В качестве транспортного газа используют HCl. В качестве камеры осаждения используют запаянную кварцевую ампулу. В камеру загружают подложку с предварительно нанесенными на нее полосками золота, арсенид индия и арсенид галлия в твердом состоянии, вакуумируют, заполняют хлористым водородом и располагают в трехзонной электропечи сопротивления с нагревом зоны источника арсенида индия, зоны источника арсенида галлия и зоны кристаллизации с подложкой. Ампулу выдерживают до выращивания микрокристаллов InxGa1-xAs необходимых размеров. Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs включає вакуумування об'єму камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівання. Як транспортний газ використовують НСl. Як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу. У камеру завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота, арсенід індію та арсенід галію у твердому стані, вакуумують, заповнюють хлористим воднем та розташовують у тризонній електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію, зони джерела арсеніду галію та зони кристалізації з підкладкою. Ампулу витримують до вирощування мікрокристалів InxGa1-xAs необхідних розмірів.