METHOD OF LASER-INDUCED FORMING ISLAND NANOSTRUCTURES ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAS CdTe

A method for forming island nanostructures on the surface of single crystals CdTe by pulses of a ruby laser (λ = 694 nm) of duration τ = 2·10s, at normal incidence of a beam on the surface of crystal, and irradiation is carried out by a single pulse with power density I, which value lies within the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BAIDULAIEVA ALIIA, VLASENKO OLEKSANDR IVANOVYCH, BOIKO MYKOLA IVANOVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for forming island nanostructures on the surface of single crystals CdTe by pulses of a ruby laser (λ = 694 nm) of duration τ = 2·10s, at normal incidence of a beam on the surface of crystal, and irradiation is carried out by a single pulse with power density I, which value lies within the range of 4 MW/cm< I< 8 MW/cm. Способ формирования островковых наноструктур на поверхности монокристаллов CdTe импульсами рубинового лазера (λ = 694 нм) длительностью τ = 2·10с, при нормальном падении луча на поверхность кристалла, причем облучение осуществляют одиночным импульсом с плотностью мощности импульса I, величина которой лежит в пределах 4 МВт/см< I< 8 МВт/см. Спосіб формування острівцевих наноструктур на поверхні монокристалів CdTe імпульсами рубінового лазера (λ= 694 нм) тривалістю τ = 2·10с, при нормальному падінні променя на поверхню кристала, причому опромінення здійснюють одиночним імпульсом з густиною потужності імпульсу I, величина якої лежить в межах 4 МВт/см< I< 8 МВт/см.