METHOD FOR FILLING SLIME STORAGE WITH FORMATION OF TECHNOGENIC DEPOSIT

A method for filling slime storage with formation of technogenic deposit includes formation of barrier and separation dams with formation of two volumes (sections). According to the method in each section one arranges a lowered dam, filling of slimes to vessels and extraction of useful component fro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Chetveryk Mykhailo Serhiiovych, Synenko Maryna Oleksandrivna, Bubnova Olena Anatoliivna
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for filling slime storage with formation of technogenic deposit includes formation of barrier and separation dams with formation of two volumes (sections). According to the method in each section one arranges a lowered dam, filling of slimes to vessels and extraction of useful component from slime storage one carries out in steps and in sequence, at that alternation of filling and extraction is carried out with filling of section to given level. Способ заполнения шламохранилища с формированием техногенного месторождения включает создание оградительных и разделительной дамбы с формированием двух емкостей (секций). Согласно способу, в каждой секции возводится пониженная дамба, складирование шламов в емкости и добычу полезного компонента из шламохранилища проводят поэтапно и последовательно, при этом чередование складирования и добычи проводят в меру заполнения секции до заданного уровня. Спосіб заповнення шламосховища з формуванням техногенного родовища включає створення огороджувальних і розділової дамби з формуванням двох ємностей (секцій). Згідно зі способом, в кожній секції зводиться понижена дамба, складування шламів в ємності і видобуток корисного компонента зі шламосховища проводять поетапно і послідовно, при цьому чергування складування і видобутку проводять у міру заповнення секції до заданого рівня.