method for producing alloyed indium arsenide microcrystals

A method for producing indium arsenide microcrystals relates to the field of semiconductor technology of microsizes and can be used for producing indium arsenide microcrystals for magnetic field sensors with high stability of the initial parameters. Способ получения микрокристаллов арсенида индия от...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHURYHIN FEDIR MYKHAILOVYCH, KOST YAROSLAV YAROSLAVOVYCH, VOROSHYLO HALYNA IVANIVNA, MAKIDO OLENA YURIIVNA, BOLSHAKOVA INESA ANTONIVNA
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for producing indium arsenide microcrystals relates to the field of semiconductor technology of microsizes and can be used for producing indium arsenide microcrystals for magnetic field sensors with high stability of the initial parameters. Способ получения микрокристаллов арсенида индия относится к области технологий полупроводников микроразмеров и может быть использован для получения микрокристаллов арсенида индия для сенсоров магнитного поля с повышенной стабильностью исходных параметров. Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію належить до галузі технологій напівпровідників мікророзмірів та може бути використаний для отримання мікрокристалів арсеніду індію для сенсорів магнітного поля з підвищеною стабільністю вихідних параметрів.