PROCESS FOR THE TREATMENT OF SILICON FROM HARMFUL IMPURITIES, SUCH AS BORON AND PHOSPHORUS

process for the treatment of silicon from harmful impurities, such as boron and phosphorus comprises the heating of crude silicon to the formation of melt with the use of high concentrated source of energy, the treatment by gas phase, comprising inert gas, reducing gas and water vapors. As high concentrated source of energy a low-vacuum gas-discharge electron gun is used, and the treatment process is carried out step by step in three stages: on the first stage at pressure of 50-100 Pa, on the second 10-50 Pa, on the third 0.2-10 Pa, besides on the first and the second stages electromagnet mixing of the melt is carried out. Способ очистки кремния от вредных примесей, например, бора и фосфора включает разогрев неочищенного кремния до образования расплава с использованием высококонцентрированного источника энергии, обработку газовой фазой, включающей инертный газ, восстановительный газ и пары воды. В качестве высококонцентрированного источника энергии используют низковакуумную газоразрядную электронную пушку, а способ очистки проводят постепенно в три стадии: на первой стадии при давлении 50-100 Па, на второй 10-50 Па, на третьей 0,2-10 Па, при этом на первой и второй стадии осуществляют электромагнитное перемешивание расплава. Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, наприклад, бору і фосфору включає розігрів неочищеного кремнію до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії, обробку газовою фазою, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води. Як висококонцентроване джерело енергії використовують низьковакуумну газорозрядну електронну гармату, а спосіб очищення ведуть поступово в три стадії: на першій стадії при тисках 50-100 Па, на другій 10-50 Па, на третій 0,2-10 Па, при цьому на першій та другій стадії здійснюють електромагнітне перемішування розплаву.