Method for producing gallium arsenide nanowhiskers

A method for producing gallium arsenide nanowhiskers, in which hydrogen chloride is used as a transporting gas, and the sealed quartz ampoule is used as a deposition chamber, which ampoule is loaded with gallium arsenide in the solid state and located on the substrate with preliminary deposited gold strips on it with the thickness of (0.010.05) µm, vacuumized to pressure in the ampoule of (0.91.1) Pa, filled with hydrogen chloride to the pressure of (34)·10Pa, the ampoule is placed in the three-zone electric resistance furnace with the heating of gallium arsenide source to a temperature of T = (700 ± 20) °C and the crystallization zone with the substrate to a temperature of T = (670 ± 10) °C, the ampoule in this mode is hold for 15-16 minutes, after which the crystallization zone with the substrate is cooled to a temperature of T = (610 ± 10) °C, in this mode ampoule is hold for 1-2 hours till the growing gallium arsenide nanowhiskers of the required size. Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, при якому як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою підкладкою з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,010,05) мкм, вакуумують до тиску в ампулі (0,91,1) Па, заповнюють хлористим воднем до тиску (34)·10Па, ампулу розташовують у тризонній електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду галію до температури Т=(700±20)°С та зони кристалізації з підкладкою до температури Т=(670±10)°С, ампулу у такому режимі витримують протягом 15-16 хвилин, після чого зону кристалізації з підкладкою охолоджують до температури Т=(610±10)°С, у такому режимі ампулу витримують протягом 1-2 годин до вирощування нановіскерів арсеніду галію необхідних розмірів.[Способ получения нановискеров арсенида галлия, при котором в качестве транспортного газа используют хлористый водород, а в качестве камеры осаждения используют запаянную кварцевую ампулу, которая загружена арсенидом галлия в твердом виде с расположенной подкложкой с предварительно нанесенными на нее полосками золота толщиной (0,010,05) мкм, вакуумируют до давления в ампуле (0,91,1) Па, заполняют хлористым водородом до давления (34) ·10Па, ампулу располагают в трехзонной электропечи сопротивления с нагревом зоны источника арсенида галлия до температуры Т = (700 ± 20) °С и зоны кристаллизации с подкладкой до температуры Т = (670 ± 10) °С, ампулу в таком режиме выдерживают в т