METHOD FOR INTEGRAL SOLID STATE OPTICAL CONVERTOR
The manufacturing method for integral microelectronic solid state optical convertor, multimodal radiation being supplied to a beam waveguide layer providing single-mode radiation in the output consists in serving liquid crystal mixture as a beam waveguide layer located between plates, one of them is...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The manufacturing method for integral microelectronic solid state optical convertor, multimodal radiation being supplied to a beam waveguide layer providing single-mode radiation in the output consists in serving liquid crystal mixture as a beam waveguide layer located between plates, one of them is made of silicon monocrystal and there is an electrode thin-film transistor array. The conducting film is applied on another plate and the space between plates, the thickness being set with spacers is pressurized.
Способ изготовления интегрального микроэлектронного твердотельного оптического конвертора, согласно с которым на вход подают многомодовое излучение в слой световода с обеспечением получения одномодового излучения на выходе, состоит в том, что слоем световода служит жидкокристаллическая смесь, которую располагают между пластинами, одну из которых изготовляют из монокристалла кремния и на ней образуют матрицу тонкопленочных транзисторов с электродами. На другую пластину наносят проводящий слой и пространство между пластинами, толщину которого задают спейсерами, герметизируют.
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора, згідно з яким на вхід подають багатомодове випромінювання в шар світловода із забезпеченням отримання одномодового випромінювання на виході, полягає в тому, що шаром світловода служить рідкокристалічна суміш, яку розташовують між пластинами, одну з яких виготовляють з монокристалу кремнію і на ній утворюють матрицю тонкоплівкових транзисторів з електродами. На іншу пластину наносять провідний шар і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, герметизують. |
---|