METHOD FOR OBTAINING NANO-POROUS LAYER OF INDIUM PHOSPHIDE THROUGH ELECTRO-CHEMICAL ETCHING IN SOLUTION OF HYDROFLUORIC ACID
The utility model is one way of making the quantum-dimensional structures on the surface of monocrystalline indium phosphide, namely electrochemical etching methods resulting in the surface formed quantum-dimensional structures of the type of quantum wires. Getting nanoporuvatoho layer on the surfac...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The utility model is one way of making the quantum-dimensional structures on the surface of monocrystalline indium phosphide, namely electrochemical etching methods resulting in the surface formed quantum-dimensional structures of the type of quantum wires. Getting nanoporuvatoho layer on the surface of monocrystalline indium phosphide doped n-type S to the carrier density n=2,3x10cmwith orientation (111) conducted in several stages:1. Grinding samples and surface by means of diamond powder. Then, on the surface there were irregularities in height 2.10 nm.2. Repolishing the electrochemical etching to obtain a smooth mirror surface.3. Remove from the surface of polar and nonpolar contaminants using toluene and ethyl alcohol.4. Electrochemical etching of samples in a solution HF:CHOH:HO (1:2:1) for nanoporuvatoho indium phosphide layer.5. Washing the surface in ethanol and drying in nitrogen flow. Porous layers of indium phosphide can be applied to create new unique materials for the manufacture of transistors and other microwave devices. Can also be used as a substrate for growing various heterostructures, based on which produced effective source of energy.
Спосіб отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.[Полезная модель принадлежит к способам изготовления квантово-размерных структур на поверхности монокристаллического фосфида индия, а именно к способам электрохимического травления в результате чего на поверхности формируются квантово-размерные структуры по типу квантовых проволок.Получение нанопористого слоя на поверхности монокристаллического фосфида индия n-типа легированного S до концентрации носителей 11=2,3x10смс ориентацией (111) проводилось в несколько этапов:1. Шлифование образцов и обработка поверхности алмазным порошком. После этого на поверхности присутствовали неровности высотой 2-10 нм.2. Полирующее электрохимическое травление для получения зеркально гладкой поверхности.3. Удаление с поверхности полярных и неполярных загрязнений при помощи толуола и этилового спирта.4. Электрохимическое травление образцов в растворе НР:СНОН:НО (1:2:1) для получения нанопористого слоя фосфида индия.5. Промывание поверхности в этиловом спирте и высушивание в потоке азота.Пористые слои фосфида индия могут найти применение при создании новых уникальных материалов для изготовления новых уникальных материалов для изготовления транзисторов и других СВЧ ус |
---|