METHOD FOR MANUFACTURING - and X-RADIATION TELLURIDE-CADMIUM DETECTOR

A method for manufacturing telluride-cadmium detectorand X-radiation includes cutting high-resistivity monocrystal CdTe into plates, glazing, polishing, and processing a pattern in chemical etchant, contacts deposition. Moreover, semiconductor plates of high-ohmic cadmium telluride are annealed in extend of 10 cycles of SHF-radiation 7,5±0,4 Bt/cmhaving frequency 2,45 GHz in extend of 3±1 c , between-cycle interval is 2-4 sec. Способ изготовления телурид-кадмиевого детектораи X-излучения включает резание высокоомного монокристалла CdTe на пластины, шлифование, полировку, обработку образца, в химическом травящем веществе, нанесение контактов. Дополнительно полупроводниковую пластину высокоомного теллурида кадмия отжигают путем 10 сеансов СВЧ-облучения мощностью 7,5±0,4 Вт/ смс частотой 2,45 ГГц в течение 3±1 с каждый сеанс с интервалом между сеансами 2-4 с. Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектората X-випромінювання включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів. Додатково напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/смз частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний сеанс з інтервалом між сеансами 2-4 с.