METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON
A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm. Способ изготовления кремниевых пла...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus ; ukr |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | BERINHOV SERHII BORYSOVYCH SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH |
| description | A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm.
Способ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния включает разрезание слитка мультикристаллического кремния на блоки и резание блока на пластины. Дополнительно каждую торцевую сторону пластины обрезают лазерным резанием на расстоянии, не меньше чем 0,1 мм.
Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини. Додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA44908UU</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA44908UU</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA44908UU3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZHD0dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdQ7x9PdT8HdTCPb08XQGMgN8HENcgxXcgvx9FXxDfUI8nYMig0McfWAKeBhY0xJzilN5oTQ3g5yba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfKijiYmlgUVoqDFBBQAHliqA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON</title><source>esp@cenet</source><creator>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</creator><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</creatorcontrib><description>A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm.
Способ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния включает разрезание слитка мультикристаллического кремния на блоки и резание блока на пластины. Дополнительно каждую торцевую сторону пластины обрезают лазерным резанием на расстоянии, не меньше чем 0,1 мм.
Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини. Додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.</description><language>eng ; rus ; ukr</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20091026&DB=EPODOC&CC=UA&NR=44908U$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20091026&DB=EPODOC&CC=UA&NR=44908U$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON</title><description>A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm.
Способ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния включает разрезание слитка мультикристаллического кремния на блоки и резание блока на пластины. Дополнительно каждую торцевую сторону пластины обрезают лазерным резанием на расстоянии, не меньше чем 0,1 мм.
Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини. Додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD0dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdQ7x9PdT8HdTCPb08XQGMgN8HENcgxXcgvx9FXxDfUI8nYMig0McfWAKeBhY0xJzilN5oTQ3g5yba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfKijiYmlgUVoqDFBBQAHliqA</recordid><startdate>20091026</startdate><enddate>20091026</enddate><creator>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creator><creator>SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20091026</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON</title><author>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH ; SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA44908UU3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus ; ukr</language><creationdate>2009</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</creatorcontrib><creatorcontrib>SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BERINHOV SERHII BORYSOVYCH</au><au>SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON</title><date>2009-10-26</date><risdate>2009</risdate><abstract>A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm.
Способ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния включает разрезание слитка мультикристаллического кремния на блоки и резание блока на пластины. Дополнительно каждую торцевую сторону пластины обрезают лазерным резанием на расстоянии, не меньше чем 0,1 мм.
Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини. Додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus ; ukr |
| recordid | cdi_epo_espacenet_UA44908UU |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-25T14%3A40%3A28IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=BERINHOV%20SERHII%20BORYSOVYCH&rft.date=2009-10-26&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA44908UU%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |