METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON PLATES FROM MULTICRYSTAL SILICON

A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm. Способ изготовления кремниевых пла...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BERINHOV SERHII BORYSOVYCH, SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for production of silicon plates from multicrystals silicon comprises the cutting of ingot of multicrystals silicon on blocks and cutting of block on plates. Additionally each end side of plate is cut bylaser cutting on distance it is not less than 0.1 mm. Способ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния включает разрезание слитка мультикристаллического кремния на блоки и резание блока на пластины. Дополнительно каждую торцевую сторону пластины обрезают лазерным резанием на расстоянии, не меньше чем 0,1 мм. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини. Додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.