SILICON PLATE FOR SUN ELEMENTS

A silicon plate for sun elements has planar and end surfaces. It has thickness 160 microns and below, and end surface on perimeter is formed by laser cutting. Кремниевая пластина для солнечных элементов имеет планарную и торцевую поверхности. Она имеет толщину 160 мкм и ниже, а торцевая поверхность...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BERINHOV SERHII BORYSOVYCH, SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A silicon plate for sun elements has planar and end surfaces. It has thickness 160 microns and below, and end surface on perimeter is formed by laser cutting. Кремниевая пластина для солнечных элементов имеет планарную и торцевую поверхности. Она имеет толщину 160 мкм и ниже, а торцевая поверхность по периметру образована лазерным резанием. Кремнієва пластина для сонячних елементів має планарні та торцеву поверхні. Вона має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.