METHOD FOR PRODUCTION OF MONOCRYSTAL SILICON PLATES

A method for production of monocrystal silicon plates comprises the processing of monocrystal silicon ingot on quadrator with providing of pseudo-square form in horizontal section of ingot, removal of allowance, cutting of pseudo-square ingot on plates. At that size of horizontal section of pseudo-s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BERINHOV SERHII BORYSOVYCH, SUKHOSTAVETS VOLODYMYR MARKOVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for production of monocrystal silicon plates comprises the processing of monocrystal silicon ingot on quadrator with providing of pseudo-square form in horizontal section of ingot, removal of allowance, cutting of pseudo-square ingot on plates. At that size of horizontal section of pseudo-square ingot meets to set size of plate with allowance. The allowanceis removed by laser cutting from end surface of plate. Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин включает обработку слитка монокристаллического кремния нас предоставлением псевдоквадратной формы в горизонтальном сечении слитка, удаление припуска, резание псевдоквадратного слитка на пластины. При этом размер горизонтального сечения псевдоквадратного слитка соответствует размеру пластины с припуском. Припуск удаляют с торцевой поверхности пластины лазерным резанием. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини. При цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском. Припуск видаляють з торцевої поверхні пластини лазерним різанням.