A METHOD FOR OBTAINING nAlGa s-pAlGaAs-p+AlGaAs HETEROSTRUCTURE WITH A VARIBAND ACTIVE REGION

A METHOD FOR OBTAINING nAlGa s-pAlGaAs-p+AlGaAs HETEROSTRUCTURE WITH A VARIBAND ACTIVE REGION

A method for obtaining of nAlGaAs-pAlGaAs-pAlGaAs heterostructure with a variband active region according to two-stage technology of liquid-phase epitaxy comprises: at the first stage - formation of a buffer layer, and at the second - formation of p-n-junction in the said layer. Способ получения гет...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SYVOROTKA NATALIIA YAROSLAVIVNA, VAKIV MYKOLA MYKHAILOVYCH, KRUKOVSKYI SEMEN IVANOVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for obtaining of nAlGaAs-pAlGaAs-pAlGaAs heterostructure with a variband active region according to two-stage technology of liquid-phase epitaxy comprises: at the first stage - formation of a buffer layer, and at the second - formation of p-n-junction in the said layer. Способ получения гетероструктуры nAlGaAs-pAlGaAs-pAlGaAs с варизонной активной областью в соответствии с технологией жидкофазной эпитаксии, включающей две стадии, предусматривает на первой стадии формирование буферного слоя, а на второй - образование р-n-перехода в этом слое. Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-pAlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії передбачає на першій стадії формування буферного шару, а на другій - утворення р-n-переходу в цьому шарі.