PHOTODIODE WITH SCHOTTKY BARRIER, ULTRAVIOLET SENSITIVE

The invention proposes a photodiode with Schottky barrier, ultraviolet sensitive, based on zinc selenide, which comprises a semi-transparent layer of nickel, an indium layer. Фотодиод с барьером Шоттки, чувствительный в ультрафиолетовом диапазоне спектра, на основе селенида цинка содержит полупрозра...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHABASHKEVYCH BORYS HRYHOROVYCH, RHYZHYKOV VOLODYMYR DIOMYDOVYCH, HALKIN SERHII MYKOLAIOVYCH, PEREVERTAILO VOLODYMYR LEONTIIOVYCH, DOBROVOLSKYI YURII HEORHIOVYCH, VORONKIN YEVHEN FEDOROVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	The invention proposes a photodiode with Schottky barrier, ultraviolet sensitive, based on zinc selenide, which comprises a semi-transparent layer of nickel, an indium layer. Фотодиод с барьером Шоттки, чувствительный в ультрафиолетовом диапазоне спектра, на основе селенида цинка содержит полупрозрачный барьерный слой никеля, слой индия. Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку містить напівпрозорий бар'єрний шар нікелю, шар індію.