Method for production of integral microelectronic solid state optical device
Method for production of integral microelectronic solid state optical device according to which one supplies optical radiation to layer of planal light guide with provision of branch of optical radiation. One of plates of planar light guide is made of silicium monocrystal, on it one forms system of...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus ; ukr |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Method for production of integral microelectronic solid state optical device according to which one supplies optical radiation to layer of planal light guide with provision of branch of optical radiation. One of plates of planar light guide is made of silicium monocrystal, on it one forms system of thin-film transistors with electrodes in developed form. To the other plate one applies conductive layer and space between plates thickness of which is set by spacers is foiled with liquid crystal mix with sealing.
Способ изготовления интегрального микроэлектронного твердотельного оптического устройства, согласно которому подают оптическое излучение в слой планарного световода с обеспечением разветвления оптического излучения. Одну из пластин планарного световода изготавливают из монокристалла кремния, на ней образовывают систему тонкопленочных транзисторов с электродами разветвленной формы. На другую пластину наносят проводящий слой и пространство между пластинами, толщину которого задают спейсерами, заполняют жидко кристаллической смесью и герметизируют.
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою, згідно з яким подають оптичне випромінювання в шар планарного світловода із забезпеченням розгалуження оптичного випромінювання. Одну з пластин планарного світловода виготовляють з монокристала кремнію, на якій утворюють систему тонкоплівкових транзисторів з електродами розгалуженої форми. На іншу пластину наносять провідний шар і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють рідкокристалічною сумішшю і герметизують. |
---|