p- MOS-TRANSISTOR

A MOS-transistor consists of monocrystal semiconductive body of n-type, a channel as an epitaxial monocrystal semiconductive film of p-type, deforming monocrystal epitaxial film, a film of dielectric and metallic gate. The body, the film for the channel and the deforming monocrystal epitaxial film are made in crystallographic direction {100}. В изобретении предлагается p-МОП-транзистор, состоящий из монокристаллической полупроводниковой подкладки n-типа, канала в виде эпитаксиальной монокристаллической полупроводниковой пленки р-типа, деформирующей монокристаллической эпитаксиальной пленки, пленки диэлектрика и металлического затвора. Подкладка, пленка для канала, и деформирующая эпитаксиальная пленка исполнены в кристаллографическом направлении {100}. р-МОН-транзистор складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвору. Підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.