A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON

A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON

A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Lunov Serhii Valentynovych, Masliuk Volodymyr Trokhymovych, Tsyz Andrii Ihorovych
Format: Patent
Sprache:eng ; ukr
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Lunov Serhii Valentynovych
Masliuk Volodymyr Trokhymovych
Tsyz Andrii Ihorovych
description A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution of an epoxy composite obtained on the basis of epoxy-diane resin of the ED-20 brand with a content of 12 wt% of PEPA hardener and 30 wt% of iron powder filler per 100 wt% of epoxy resin in the matrix is poured. Спосіб підвищення радіаційної стійкості монокристалічного кремнію від високоенергетичних потоків гамма та електронного випромінювання включає додаткове легування домішкою олова. У форму у вигляді паралелепіпеда з картону поміщають монокристал кремнію, куди наливають підготовлений розчин епоксикомпозиту, одержаний на основі епоксидно-діанової смоли марки ЕД-20 з вмістом в матриці 12 мас. ч. отверджувача ПЕПА та 30 мас. ч. наповнювача порошку заліза на 100 мас. ч. епоксидної смоли.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA155939UU</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA155939UU</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA155939UU3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPByVPB1DfHwd1Fw8w9S8PRzDnJ1DPb0c1cI8XBVCHJ08XQM8fT3UwhyDfYMDnH0c3ZV8HdTACnwcVVwDooEivkAuT6ezv5-PAysaYk5xam8UJqbQd7NNcTZQze1ID8-tbggMTk1L7UkPtTR0NTU0tgyNNSYsAoAnCYs7A</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON</title><source>esp@cenet</source><creator>Lunov Serhii Valentynovych ; Masliuk Volodymyr Trokhymovych ; Tsyz Andrii Ihorovych</creator><creatorcontrib>Lunov Serhii Valentynovych ; Masliuk Volodymyr Trokhymovych ; Tsyz Andrii Ihorovych</creatorcontrib><description>A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution of an epoxy composite obtained on the basis of epoxy-diane resin of the ED-20 brand with a content of 12 wt% of PEPA hardener and 30 wt% of iron powder filler per 100 wt% of epoxy resin in the matrix is poured. Спосіб підвищення радіаційної стійкості монокристалічного кремнію від високоенергетичних потоків гамма та електронного випромінювання включає додаткове легування домішкою олова. У форму у вигляді паралелепіпеда з картону поміщають монокристал кремнію, куди наливають підготовлений розчин епоксикомпозиту, одержаний на основі епоксидно-діанової смоли марки ЕД-20 з вмістом в матриці 12 мас. ч. отверджувача ПЕПА та 30 мас. ч. наповнювача порошку заліза на 100 мас. ч. епоксидної смоли.</description><language>eng ; ukr</language><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240417&amp;DB=EPODOC&amp;CC=UA&amp;NR=155939U$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240417&amp;DB=EPODOC&amp;CC=UA&amp;NR=155939U$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Lunov Serhii Valentynovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Masliuk Volodymyr Trokhymovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Tsyz Andrii Ihorovych</creatorcontrib><title>A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON</title><description>A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution of an epoxy composite obtained on the basis of epoxy-diane resin of the ED-20 brand with a content of 12 wt% of PEPA hardener and 30 wt% of iron powder filler per 100 wt% of epoxy resin in the matrix is poured. Спосіб підвищення радіаційної стійкості монокристалічного кремнію від високоенергетичних потоків гамма та електронного випромінювання включає додаткове легування домішкою олова. У форму у вигляді паралелепіпеда з картону поміщають монокристал кремнію, куди наливають підготовлений розчин епоксикомпозиту, одержаний на основі епоксидно-діанової смоли марки ЕД-20 з вмістом в матриці 12 мас. ч. отверджувача ПЕПА та 30 мас. ч. наповнювача порошку заліза на 100 мас. ч. епоксидної смоли.</description><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPByVPB1DfHwd1Fw8w9S8PRzDnJ1DPb0c1cI8XBVCHJ08XQM8fT3UwhyDfYMDnH0c3ZV8HdTACnwcVVwDooEivkAuT6ezv5-PAysaYk5xam8UJqbQd7NNcTZQze1ID8-tbggMTk1L7UkPtTR0NTU0tgyNNSYsAoAnCYs7A</recordid><startdate>20240417</startdate><enddate>20240417</enddate><creator>Lunov Serhii Valentynovych</creator><creator>Masliuk Volodymyr Trokhymovych</creator><creator>Tsyz Andrii Ihorovych</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240417</creationdate><title>A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON</title><author>Lunov Serhii Valentynovych ; Masliuk Volodymyr Trokhymovych ; Tsyz Andrii Ihorovych</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA155939UU3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ukr</language><creationdate>2024</creationdate><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Lunov Serhii Valentynovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Masliuk Volodymyr Trokhymovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Tsyz Andrii Ihorovych</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Lunov Serhii Valentynovych</au><au>Masliuk Volodymyr Trokhymovych</au><au>Tsyz Andrii Ihorovych</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON</title><date>2024-04-17</date><risdate>2024</risdate><abstract>A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution of an epoxy composite obtained on the basis of epoxy-diane resin of the ED-20 brand with a content of 12 wt% of PEPA hardener and 30 wt% of iron powder filler per 100 wt% of epoxy resin in the matrix is poured. Спосіб підвищення радіаційної стійкості монокристалічного кремнію від високоенергетичних потоків гамма та електронного випромінювання включає додаткове легування домішкою олова. У форму у вигляді паралелепіпеда з картону поміщають монокристал кремнію, куди наливають підготовлений розчин епоксикомпозиту, одержаний на основі епоксидно-діанової смоли марки ЕД-20 з вмістом в матриці 12 мас. ч. отверджувача ПЕПА та 30 мас. ч. наповнювача порошку заліза на 100 мас. ч. епоксидної смоли.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; ukr
recordid cdi_epo_espacenet_UA155939UU
source esp@cenet
title A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-04T12%3A33%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Lunov%20Serhii%20Valentynovych&rft.date=2024-04-17&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA155939UU%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true