A METHOD FOR INCREASING THE RADIATION RESISTANCE OF SINGLE CRYSTAL SILICON

A method for increasing the radiation resistance of single crystal silicon against high-energy gamma and electron radiation includes additional doping with an impurity of tin. A single crystal of silicon is placed in a mold in the form of a parallelepiped made of cardboard, where a prepared solution of an epoxy composite obtained on the basis of epoxy-diane resin of the ED-20 brand with a content of 12 wt% of PEPA hardener and 30 wt% of iron powder filler per 100 wt% of epoxy resin in the matrix is poured. Спосіб підвищення радіаційної стійкості монокристалічного кремнію від високоенергетичних потоків гамма та електронного випромінювання включає додаткове легування домішкою олова. У форму у вигляді паралелепіпеда з картону поміщають монокристал кремнію, куди наливають підготовлений розчин епоксикомпозиту, одержаний на основі епоксидно-діанової смоли марки ЕД-20 з вмістом в матриці 12 мас. ч. отверджувача ПЕПА та 30 мас. ч. наповнювача порошку заліза на 100 мас. ч. епоксидної смоли.