METHOD FOR PREPARATION OF HIGH-POROUS ZINC SELENIDE LAYERS

METHOD FOR PREPARATION OF HIGH-POROUS ZINC SELENIDE LAYERS

The method for obtaining high-porous layers on the surface of zinc selenide includes surface treatment of single-crystal ZnSe by electrochemical etching, according to the utility model, electrochemical etching is carried out by treating a single crystal of ZnSe in a solution of H2O:HNO3=1:1 for 10 m...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kovachov Serhii Serhiiovych, Lazarenko Andrii Stepanovych, Sychikova Yana Oleksanrivna, Tykhovod Kateryna Mykolaivna, Medvedenko Oleksandr Mykolaiovych, Bondarenko Viktoriia Volodymyrivna, Shyshkin Hennadii Oleksandrovych, Bohdanov Ihor Tymofiiovych, Pimenov Dmytro Oleksiiovych
Format: Patent
Sprache:eng ; ukr
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The method for obtaining high-porous layers on the surface of zinc selenide includes surface treatment of single-crystal ZnSe by electrochemical etching, according to the utility model, electrochemical etching is carried out by treating a single crystal of ZnSe in a solution of H2O:HNO3=1:1 for 10 min and passing a direct current with a density j=180 mA/cm2. Спосіб отримання високопоруватих шарів на поверхні селеніду цинку включає обробку поверхні монокристалічного ZnSe шляхом електрохімічного травлення, згідно з корисною моделлю електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у розчині H2O:HNO3=1:1 протягом 10 хв і пропусканням постійного струму щільністю j=180 мA/cм2.