METHOD FOR OBTAINING MESOPOROUS LAYER ON ZINC SELENIDE SURFACE

METHOD FOR OBTAINING MESOPOROUS LAYER ON ZINC SELENIDE SURFACE

A method for obtaining mesoporous layer on zinc selenide surface (porous diameter of 30-80 nm) comprises the treatment of monocrystal ZnSe surface by electrochemical etching during 15 minutes. Monocrystal ZnSe is treated by electrochemical etching in the solution electrolyte H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1 a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Bondarenko Viktoriia Volodymirivna, Kovachov Serhii Serhiiovych, Sychikova Yana Oleksandrivna, Lazarenko Andrii Stepanovych, Medvedenko Oleksandr Mykolaiovych, Shyshkin Hennadii Oleksandrovych, Tykhovod Kateryna Mykolaїvna, Yefimenko Yurii Oleksandrovych, Bohdanov Ihor Tymofiiovych, Pimenov Dmytro Oleksiiovych
Format: Patent
Sprache:eng ; ukr
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for obtaining mesoporous layer on zinc selenide surface (porous diameter of 30-80 nm) comprises the treatment of monocrystal ZnSe surface by electrochemical etching during 15 minutes. Monocrystal ZnSe is treated by electrochemical etching in the solution electrolyte H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1 and applied voltage 20 V. The samples are placed perpendicular to the cell bottom opposite of the platinum electrode. Спосіб отримання мезопоруватого шару на поверхні селеніду цинку (діаметр пор 30-80 нм) включає обробку поверхні монокристалічного ZnSe шляхом електрохімічного травлення протягом 15 хвилин. Електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у розчині електроліту H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1 при прикладеній напрузі 20 В. При цьому зразки розташовують перпендикулярно до дна комірки навпроти платинового електрода.