METHOD FOR OBTAINING CHAIN PORES ON INDIUM PHOSPHIDE SURFACE BY ELECTROCHEMICAL ETCHING

A method for obtaining chain pores on indium phosphide surface (InP) comprises the treatment of monocrystal InP by electrochemical etching. Monocrystal InP (111) is treated by electrochemical etching in the solution of hydrofluoric acid as electrolyte in concentration of HF:H2O:C2H5OH=2:2:1 for 10 m...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Bondarenko Viktoriia Volodymirivna, Kovachov Serhii Serhiiovych, Sychikova Yana Oleksandrivna, Lazarenko Andrii Stepanovych, Shyshkin Hennadii Oleksandrovych, Bohdanov Ihor Tymofiiovych
Format: Patent
Sprache:eng ; ukr
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for obtaining chain pores on indium phosphide surface (InP) comprises the treatment of monocrystal InP by electrochemical etching. Monocrystal InP (111) is treated by electrochemical etching in the solution of hydrofluoric acid as electrolyte in concentration of HF:H2O:C2H5OH=2:2:1 for 10 minutes, at current density of j=200 mA/cm2. Спосіб отримання ланцюгових пор на поверхні фосфіду індію (InР) включає обробку поверхні монокристалічного InР шляхом електрохімічного травлення. Електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала InР (111) у розчині плавикової кислоти як електроліту у концентрації HF:H2O:C2H5OH=2:2:1 протягом 10 хвилин, при щільності струму j=200 mA/cm2.