METHOD OF ELECTROPHYSICAL DIAGNOSTICS OF SUBMICRON STRUCTURES OF LSIC

The invention relates to the field of micro- and optoelectronics and can be used to diagnose the reliability of submicron structures at the stage of their formation. A method of electrophysical diagnostics of submicron structures of LSIC involves the creation of a test structure of MDS capacitors in the standard technological process of forming the submicron LSIC/VLSIC, supplying clock pulses and fixing the bias voltage on a substrate by using an electronic structure tester. At the same time, the noise immunity of the circuit is determined by the value of the bias potential of a test MDS capacitor during the passing of current pulses on a metal bus, which creates a dynamic bias potential of a substrate 0.2-0.6 V at the intensity of the alternating magnetic field (3-9) 1011 A/m∙s. The technical result of the invention is in the possibility to virtually eliminate the software failures in the operation of digital LSIC/VLSIC, as well as to increase their noise immunity and reliability by almost an order of magnitude. Винахід належить до галузі мікро- і оптоелектроніки та може використовуватись для діагностування надійності субмікронних структур на стадії їх формування. Спосіб електрофізичного діагностування субмікронних структур ВІС полягає у створенні тестової структури МДН-конденсатора в стандартному технологічному процесі формування субмікронних ВІС/НВІС, подачі тактових імпульсів і фіксації напруги зміщення на підкладці за допомогою тестера електронних структур. При цьому завадостійкість схеми визначають за величиною потенціалу зміщення тестового МДН-конденсатора при проходженні тактових імпульсів струму по металевій шині, що створює динамічне зміщення потенціалу підкладки 0,2-0,6 В при напруженості змінного магнітного поля (3-9) 1011 А/м.с. Технічним результатом винаходу є можливість практично виключити збої програмного забезпечення при роботі цифрових ВІС/НВІС, а також підвищення їх завадостійкості і надійності майже на порядок.