METHOD FOR PRODUCING POLYCRISTALLINE SILICON SUITABLE FOF PRODUCING OF PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

The invention concerns a method for producing polycrystalline silicon as silicon raw material of solar quality and can be used in the production of photovoltaic module. A method comprises the smelting of preprocessed metallurgical (metallic) silicon and crystallizing of produced smelt in cold crucible by induction with produce of polycrystalline silicon ingot. A method provides to produce the polycrystalline silicon of improved quality, where boron and phosphorous impurities are uniformly distributed at the volume of the ingot and are within: boron - 0.1...0.5 ppmw and phosphorus - 0.5...2.0 ppmw. Изобретение касается способа производства поликристаллического кремния в качестве кремниевого сырья солнечного качества и может быть использовано в производстве фотоэлектрических модулей. Способ включает плавление предварительно обработанного металлургического (металлического) кремния и кристаллизацию полученного расплава в холодном тигле индукционным методом с получением слитка поликристаллического кремния. Способ обеспечивает получение поликристаллического кремния улучшенного качества, где примеси бора и фосфора равномерно распределены по объему слитка и находятся в пределах: бор - 0,1...0,5 ppmw, фосфор - 0,5...2,0 ppmw. Винахід стосується способу виробництва полікристалічного кремнію як кремнієвої сировини сонячної якості і може бути використаний у виробництві фотоелектричних модулів. Спосіб включає плавлення попередньо обробленого металургійного (металічного) кремнію і кристалізацію отриманого розплаву у холодному тиглі індукційним методом з одержанням зливка полікристалічного кремнію. Спосіб забезпечує отримання полікристалічного кремнію покращеної якості, де домішки бору і фосфору рівномірно розподілені за об'ємом зливка і знаходяться в межах: бор - 0,1...0,5 ppmw, фосфор - 0,5...2,0 ppmw.