METHOD for SYNTHESIS of ferroelectric materialS of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X

A method for synthesis of ferroelectric material of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X includes the synthesis of tiogallate and seleniumgallate of thallium, alloying mixtures thereof in a sealed quartz ampoule and subsequent melt crystallization. Melt crystallization is carried out by cooling...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Huranych Pavlo Pavlovych, Pisak Roman Petrovych, Huranych Oksana Hryhorovna, Rubish Vasyl Mykhailovych, Ryhan Mykhailo Yuriiovych
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F COMPOUNDS THEREOF CRYSTAL GROWTH INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for synthesis of ferroelectric material of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X includes the synthesis of tiogallate and seleniumgallate of thallium, alloying mixtures thereof in a sealed quartz ampoule and subsequent melt crystallization. Melt crystallization is carried out by cooling at a rate of 40-50 K/hour to a temperature of 400-420 °C, holding at this temperature for 3-5 hours and subsequent cooling in the furnace off mode. Способ синтеза сегнетоэлектрического материала состава (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X включает синтез тиогаллата и селеногаллата таллия, сплавление их смеси в герметизированной кварцевой ампуле и последующую кристаллизацию расплава. Кристаллизацию расплава осуществляют путем охлаждения со скоростью 40-50 K/ч. до температуры 400-420 °C, выдержки при этой температуре в течение 3-5 часов и последующего охлаждения в режиме выключенной печи. Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву. Кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 K/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної печі.