METHOD FOR PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE AND SILICON FOR USE IN PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE

The present invention relates to a method for the production of trichlorosilane by reaction of silicon with HCI gas at a temperature between 250° and 1 , and an absolute pressure of 0.5-30 amt in a fluidized bed reactor, in a stirred bed reactor or a solid bed reactor, where the silicon supplied to the reactor contains between 40 and 10.000 ppm by weight barium and optionally 40-10000 ppm by weight copper. Изобретение относится к способу получения трихлорсилана путем взаимодействия кремния с газообразным HCl при температуре между 250° и 1100 °C и абсолютным давлением в 0,5-30 атм. в реакторе с псевдоожиженным слоем, в реакторе с перемешиваемым слоем или в реакторе со сплошным слоем, где кремний, подаваемый в реактор, содержит между 40 и 10000 ч/млн. бария по массе, и необязательно, 40-10000 ч/млн. меди по массе. Винахід належить до способу отримання трихлорсилану шляхом взаємодії кремнію з газоподібним НСl при температурі між 250° і 1100 °C і абсолютному тиску в 0,5-30 атм в реакторі з псевдозрідженим шаром, в реакторі з перемішуваним шаром або в реакторі із суцільним шаром, де кремній, що подається в реактор, містить між 40 і 10000 ч/млн барію по масі і, необов'язково, 40-10000 ч/млн міді по масі.