Process for the production of doped silicon single crystals by electron-beam float zoning and inlet valve FOR realization thereof

The invention relates to the field of metallurgy and can be used to obtain doped silicon single crystals. The process consists in melting of zone of the initial rod by an adjusting electron beam and supplying of the doping agent into the melting vacuumized chamber. Supplying of the doping agent is carried out by the inlet valve, comprising a cylindrical body with joining pipes for connection the input and output of gas, bellows unit with the rod, needle, which is made in the form of a cone entering the lower saddle of the joining pipe and controls the consumption of the doping agent. The angle of taper of the needle should be no more than 4° and at least 2,5(. The invention provides a high thermal efficiency (efficiency of the process is 90 %), of the producing of a flat crystallization front, as well as management and maintenance of a given height of the molten zone. Изобретение относится к отрасли металлургии и может быть использовано для получения легированных монокристаллов кремния. Способ заключается в расплавлении зоны исходного стержня с помощью регулировочного электронного луча и подачи легирующей примеси в плавильную вакуумирующуюся камеру. Подачу примеси осуществляют с помощью устройства-натекателя, включающего цилиндрический корпус со штуцерами для подключения входа и выхода газа, сильфонный блок со штоком, иглу, которая выполнена в виде конуса, входящего в седло нижнего штуцера и регулирует расход легирующей примеси. Конусность иглы должна быть не более 4° и не менее 2,5(. Изобретение обеспечивает высокую термическую эффективность (КПД процесса составляет 90 %), получение плоского фронта кристаллизации, а также регулирование и поддержание заданной высоты расплавленной зоны. Винахід належить до галузі металургії і може бути використаний для одержання легованих монокристалів кремнію. Спосіб полягає в розплавленні зони вихідного стрижня за допомогою дискового електронного променя і подачі легуючої домішки у плавильну камеру, яка вакуумується. Подачу домішки здійснюють за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу газу, сильфонний блок зі штоком, голку, яка виконана у вигляді конуса, що входить у сідло нижнього штуцера і регулює витрату легуючої домішки. Конусність голки повинна бути не більше ніж 4° і не менше ніж 2,5(. Винахід забезпечує високу термічну ефективність (ККД процесу становить 90 %), одержання плоского фронту кристалізації, а також регулювання та утримування заданої висоти ро