Gan high electron mobility transistor

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	TAI, MAOOU, CHEN, HONGIH, CHOU, FONG-MIN, CHEN, WENUNG, LIN, YU-SHAN, ZHENG, HAO-XUAN, JIN, FU-YUAN, CHANG, TINGANG, LIN, YUN-HSUAN
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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