The use of multi-step deposition of poly-silicon thin film to increase silicon wafer external gettering ability and reduce warpage

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	CHIN, CHUNG TE, LIAO, KUAN CHONG
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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