SPUTTER TARGET FOR A PHYSICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER
【物品用途】;本設計所請求之用於物理汽相沉積腔室的濺鍍靶係用於半導體製程。;【設計說明】;圖式所揭露之虛線部分，為本案不主張設計之部分。;A-A剖面視圖為沿俯視圖中之A-A線的剖面。
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | chi ; eng |
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| Zusammenfassung: | 【物品用途】;本設計所請求之用於物理汽相沉積腔室的濺鍍靶係用於半導體製程。;【設計說明】;圖式所揭露之虛線部分，為本案不主張設計之部分。;A-A剖面視圖為沿俯視圖中之A-A線的剖面。 |
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