Low K dielectric compositions for high frequency applications
A low K value, high Q value, low firing dielectric material and method of forming a fired dielectric material is presented. The dielectric material can be fired below 950 DEG C or below 1100 DEG C, has a K value of less than about 8 at 10-30 GHz and a Q value of greater than 500 or greater than 1000...
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng |
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