MİKRO-NANO ÖLÇEKTE IŞINIM TRANSFERİNİN İNCELENMESİ İÇİN SİLİSYUM TEMELLİ KAPALI VE ENTEGRE BİR PLATFORM

Buluş, mikro-nano ölçekte ışınım transferinin incelenmesi için kapalı ve entegre bir YAI platformu (12) olup, silisyum alttaş (1) üzerine kaplanmış silisyum karbür ince film (2) içeren bir yayıcı (5), silisyum alttaş (1) üzerine kaplanmış silisyum karbür ince film (2) içeren bir toplayıcı(6), yayıcı...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HANİFE TUBA OKUTUCU, ÖZYURT, MUSTAFA PINAR, MENGÜÇ, ELİF BEGÜM, ELÇİOĞLU
Format: Patent
Sprache:tur
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Buluş, mikro-nano ölçekte ışınım transferinin incelenmesi için kapalı ve entegre bir YAI platformu (12) olup, silisyum alttaş (1) üzerine kaplanmış silisyum karbür ince film (2) içeren bir yayıcı (5), silisyum alttaş (1) üzerine kaplanmış silisyum karbür ince film (2) içeren bir toplayıcı(6), yayıcı (5) ve toplayıcının (6) silisyum karbür ince filmleri (2) üzerine kaplanmış ve yayıcı (5) ve toplayıcının (6) aralarındaki mesafenin ısıl ışınım dalga boyundan (?) küçük ve birbirine paralel olmasını sağlayacak şekilde vakum ortamında silisyum dioksit ara sütunlar olan desenli temas yüzeylerinden birleştirilmiş ve pul boyutunda elde edilmiş entegre yapı (7) kesilerek 3 cm x 3 cm boyutunda çipler (YAI platformları(12)) elde edilmiştir. Söz konusu YAI platformunun (12) üretim yöntemi de buluşun kapsamındadır. The invention is a closed and integrated NFR platform (12) for inspection of radiation transfer at micro-nano scale, and comprises of an emitter (5) comprises of a silicon carbide thin film (2) coated on a silicon substrate (1), a receiver (6) comprising a silicon carbide thin film (2) coated on a silicon substrate (1). The silicon carbide thin films (2) of the emitter (5) and the receiver (6) are coated and bonded under vacuum along their patterned contact surfaces, silicon dioxide intermediate pillars such that distance between the emitter (5) and the receiver (6) is smaller than thermal radiation wavelength and parallel to each other. The attained integrated structure (7) at wafer size is diced to obtain 3cmx3cm chips. The fabrication method of the NFR platform (12) is within the scope of the invention.