Bir GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör yapısı ve bunun büyütme yöntemi
Bu buluş, metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile elde edilen temel olarak bir attaş (1), bir AIN tampon katmanı (2), bir birinci aktif katmanı (3), bir ikinci aktif katman (5), bir GaN üst katmanı (6) içeren bir galyum nitrat temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (100) yapısı ve...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | tur |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!