Bir GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör yapısı ve bunun büyütme yöntemi

Bu buluş, metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile elde edilen temel olarak bir attaş (1), bir AIN tampon katmanı (2), bir birinci aktif katmanı (3), bir ikinci aktif katman (5), bir GaN üst katmanı (6) içeren bir galyum nitrat temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (100) yapısı ve...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HONGBO YU, HUESEYIN CAKMAK, EKMEL OEZBAY, MUSTAFA OEZTUERK
Format: Patent
Sprache:tur
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!