Bir GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör yapısı ve bunun büyütme yöntemi

Bu buluş, metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile elde edilen temel olarak bir attaş (1), bir AIN tampon katmanı (2), bir birinci aktif katmanı (3), bir ikinci aktif katman (5), bir GaN üst katmanı (6) içeren bir galyum nitrat temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (100) yapısı ve bu transistörü (100) elde etme yöntemi ile ilgilidir. Söz konusu AIN tampon katmanı (2), bir düşük sıcaklıklı AIN ince film tabakası (21) ve bu tabakanın (21) üzerinde bir yüksek sıcaklıklı AIN ince fllm tabakası (22) içermektedir. Bununla birlikte adı geçen birinci aktif katmanı (3), bir birinci GaN tampon katmanı (31), tercihen derecelendinlmiş bir AlGaN tampon katmanı (32) ve bir ikinci GaN tampon katmanı (33) içermektedir. Söz konusu birinci aktif katman (3) ile söz konusu ikinci aktif katman (5) arasında iki boyutlu elektron gazı (4) oluşmaktadır. Adı geçen ikinci aktif katman (5) da bir AIN bariyer katmanı (51) ve bu katmanın (51) üzerinde bir AlGaN bariyer katmanı (52) içermektedir. Bu buluş, söz konusu yapıyı içeren bir yüksek elektron mobiliteli transistör (100) ve bu transistörü (100) elde etme yöntemini anlatmaktadır.