PHOTO TRIAC

The abstract is absent. 1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного тока за счет реализации регенеративного механизма включения, участок базы, управляемый световым потоком, расположен между дополнительным n-эмиттерными, частично металлизированными областями.