METHOD FOR PRODUCING SILICON EPITAXIAL STRUCTURES
FIELD: manufacture of silicon devices and integrated circuits including silicon epitaxial growth in hydrogen environment.SUBSTANCE: proposed method includes organization of n-conductivity regions in silicon, surface doping with acceptor impurity, oxidation, opening of windows in oxide, and epitaxial...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: manufacture of silicon devices and integrated circuits including silicon epitaxial growth in hydrogen environment.SUBSTANCE: proposed method includes organization of n-conductivity regions in silicon, surface doping with acceptor impurity, oxidation, opening of windows in oxide, and epitaxial growth in hydrogen environment. In the process surface between n-conductivity regions is doped with acceptor impurity to concentration level lower by 3-8 times than that causing channel leaks under oxide upon epitaxial growth in hydrogen environment. Upon epitaxial growth structure is annealed in environment of inert gas, primarily nitrogen, at temperature higher by 100 °C and lower by 50 °C than epitaxial growth temperature for 3 - 30 minutes.EFFECT: improved power characteristics of structures.1 cl, 2 dwg
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода. Сущность: способ включает создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпитаксиальное наращивание в атмосфере водорода. При этом легируют поверхность акцепторной примесью между областями n-типа проводимости до уровня концентрации в 3-8 раз меньшего уровня, при котором имеют место канальные утечки под окислом кремния после эпитаксиального наращивания в атмосфере водорода. После эпитаксиального наращивания структуру отжигают в атмосфере инертного газа, преимущественно азота, при температуре на 100°С больше и на 50°С меньше температуры эпитаксиального наращивания в течение 3-30 мин. Технический результат: улучшение электрических характеристик структур. 2 ил. |
---|