METHOD FOR PRODUCING TYPE АВINSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURES

FIELD: microelectronics.SUBSTANCE: proposed method that can be used to manufacture insulator-semiconductor devices includes anodic oxidation of semiconductor wafer. In the process wafer surface is subjected to ion doping prior to anodic oxidation up to 10- 10cmconcentration with periodic-system second-group element incorporated in ABcompound; anodic oxidation is conducted down to doping layer depth.EFFECT: improved quality of structures.1 cl Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник. Сущность: способ включает анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины. При этом перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 10-10смэлементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АB, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного слоя. Технический результат: улучшение качества структур. 1 табл.