UHF FLAW DETECTOR

FIELD: radio measurements.SUBSTANCE: UHF flaw detector contains UHF generator, connected through decoupling block to receiving-transmitting micro-strip antenna. On the emitting surface of micro-strip antenna, dielectric plate is positioned, which is provided with a shelf in form of disk, coaxial wit...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kovalev Aleksej Vasil'evich, Stankevich Vladimir Ivanovich, Gusev Evgenij Aleksandrovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: radio measurements.SUBSTANCE: UHF flaw detector contains UHF generator, connected through decoupling block to receiving-transmitting micro-strip antenna. On the emitting surface of micro-strip antenna, dielectric plate is positioned, which is provided with a shelf in form of disk, coaxial with geometrical center of antenna. Diameter of disk does not exceed linear dimensions of antenna, while its thickness is equal to thickness of second dielectric plate. Disk is mounted in aperture, made in the second dielectric plate. Also provided is a dependence of values of dielectric penetrability of material utilized in substrate of micro-strip antenna and material of object being controlled.EFFECT: increased sensitivity of UHF flaw detector when detecting extensive metallic enclosures.1 dwg Изобретение относится к области радиоизмерений. Техническим результатом является повышение чувствительности СВЧ-дефектоскопа при обнаружении протяженных металлических включений. СВЧ-дефектоскоп содержит СВЧ-генератор, подключенный через развязывающий блок к приемопередающей микрополосковой антенне. На излучающей поверхности микрополосковой антенны размещена диэлектрическая пластина, которая снабжена выступом в форме диска, соосного с геометрическим центром антенны. Диаметр диска не превышает линейных размеров антенны, а толщина его равна толщине второй диэлектрической пластины. Диск установлен в отверстии, выполненном во второй диэлектрической пластине. Приведена зависимость величин диэлектрических проницаемостей материала диэлектрических пластин, материала подложки микрополосковой антенны и материала контролируемого объекта. 1 ил.