INTEGRAL SEMICONDUCTOR PRESSURE TRANSDUCER AND PROCESS OF ITS MANUFACTURE

FIELD: measurement technology. SUBSTANCE: profiled membrane of converter is formed by flat plate 1 and frame 2 produced from identical monocrystalline material with matching of their equivalent crystallographic directions. Plate 1 and frame 2 can be attached by different methods: diffusion welding in vacuum directly or through more easily melted layer with thin layer of binder, for instance, glass cement, adhesive and so on. EFFECT: enhanced precision and sensitivity of converter, facilitated manufacture. 5 cl, 3 dwg Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении давления жидкостей и газов. Цель изобретения увеличение точности и чувствительности преобразователя и повышение технологичности его изготовления. Сущность изобретения: профилированная мембрана преобразователя образована плоской пластинкой 1 и рамкой 2, выполненными из одинакового монокристаллического материала, при совпадении их эквивалентных кристаллографических направлений. Пластинка 1 и рамка 2 могут быть скреплены различными способами: диффузионной сваркой в вакууме как непосредственно, так и через более легкоплавкую прослойку, а также тонким слоем связующего, например стеклоцементом, клеем и т.д. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.