METHOD OF FORMING MICROIMAGES

FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: electron resist is illuminated in sequence and under program control by electron beam in form of square-shaped dies. Sizes of dies are determined by maximal density of beam cross-section at focusing plane. After that latent image is developed. Current density and width of the die are chosen from the relation given in the description of the invention. EFFECT: improved efficiency of process; optimized thermal conditions of illumination. 4 dwg, 4 tbl Использование: изготовление фотошаблонов сверхбольших интегральных схем (СБИС) и самих СБИС методом прямой электронолитографии по полупроводниковой пластине. Сущность изобретения: при формировании микроизображений программно-управляемо последовательно облучают электронорезист электронным лучом в виде прямоугольных штампов, размер которых определен максимальной плотностью сечения луча в плоскости фокусировки, с последующим проявлением скрытого изображения, при этом плотность тока и ширину штампа выбирают из условия, приведенного в формуле изобретения. Изобретение обеспечивает повышение производительности процесса за счет оптимизации термических условий облучения. 4 ил., 4 табл.