SUPERCONDUCTING CURRENT SWITCH

FIELD: current switching between circuits. SUBSTANCE: device has switching gate, which is made from high-temperature superconducting metal ceramic and which has pair of current terminals, which are connected to power supply. Potential terminals are located between current terminals and are connected...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Volkov A.Ju, Bush A.A, Isakov E.N, Krivoshein A.A, Gordeev S.N, Zajtsev V.N
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: current switching between circuits. SUBSTANCE: device has switching gate, which is made from high-temperature superconducting metal ceramic and which has pair of current terminals, which are connected to power supply. Potential terminals are located between current terminals and are connected to load. In addition device has source of switching magnetic field which influences material of superconducting switching gate in area between potential terminals. Superconducting switching gate is made from textured metal ceramics, at least, in area between potential terminals. Axis of maximal specific resistance of anisotropy crystals is oriented in this area in parallel to current which runs in this area. EFFECT: increased functional capabilities. 1 dwg Использование: для коммутации токов из одной цепи в другую. Сущность изобретения: в сверхпроводящем переключателе тока, содержащем ключевой элемент, выполненный из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики с размещенной на нем парой токовых контактов, электрически соединенных с источником тока, и с расположенными между ними потенциальными контактами, к которым подключена нагрузка, а также источник переключающего магнитного поля, действующего на материал ключевого элемента, в области между потенциальными контактами, ключевой элемент выполнен из текстурированной металлокерамики по крайней мере в области между потенциальными контактами, причем эта область имеет преимущественную ориентацию оси, вдоль которой анизотропные кристаллиты имеют наибольшее удельное сопротивление, параллельную току, текущему в этой области. 1 ил.