METHOD FOR GENERATION OF FLAT THIN FILMS

FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: method involves amplitude modulation of frequency, which is not greater than 4 MHz and which corresponds to high-frequency shift, when thin metal film is deposited on substrate by means of sputtering in rarefied noble gas. EFFECT: increased functional capabilities...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Baranov V.V, Kazachonok G.M, Popov Ju.P, Dostanko A.P, Popov S.V
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: method involves amplitude modulation of frequency, which is not greater than 4 MHz and which corresponds to high-frequency shift, when thin metal film is deposited on substrate by means of sputtering in rarefied noble gas. EFFECT: increased functional capabilities. 1 dwg Использование: технология микроэлектроники, в частности получение тонких металлических пленок. Сущность изобретения: в способе формирования планаризованных тонких пленок модулируют частотой не более 4 МГц по амплитуде величину ВЧ-смещения на подложке в процессе осаждения тонкой металлической пленки распылением в разряженной среде инертного газа. 1 ил.