METHOD OF SILICON DIOXIDE FILM FORMATION

FIELD: protective coatings. SUBSTANCE: invention relates to a method of formation of silicon dioxide films including blowing through of reactor with oxygen and deposition of silicon dioxide film from silicon compound-containing gas phase onto silicon carriers at 650-770 C under reduced pressure. Defectiveness of the film is lowered when reactor is blown through with oxygen mixed with 2-6 vol % of ozone under 5-60 Pa pressure for 3-10 min. EFFECT: improved quality of films. Изобретение относится к технологии изготовления электронной техники, в частности к технологии осаждения пленки двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано для создания диэлектрических слоев при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность: изобретение позволяет повысить качество пленки путем снижения дефектности и повышения электрической прочности. Для этого в реакторе пониженного давления перед осаждением пленки двуокиси кремния проводят продувку сухим кислородом при давлении 15-150 Па в течение 5-15 мин при температуре осаждения, а также продувку кислородом с содержанием озона 2-6 об.% при давлении 5-60 Па в течение 3-10 мин.