DEVICE FOR CHEMICAL DEPOSITION OF FILMS FROM GAS PHASE

FIELD: equipment for application of coatings, particular, devices for chemical deposition of films from gas phase at low pressure and applicable in production of layers of silicon nitride used as capacitor and gate dielectrics. SUBSTANCE: holder 2 with silicon substrates 3 are loaded into reactor 1 through hollow chamber 9 of lock chamber 8 formed by body 10. In so doing, inert gas - nitrogen is supplied through pipelines 12 embracing loading hole 4. Nitrogen forms curtain with the help of exhaust hole made in body side surface parallel to reactor axis which prevents atmospheric air with water vapors and oxygen from getting into reactor 1. EFFECT: reduced defects of coating and increased electric strength of coating due to improved design features of device. 2 cl, 3 dwg Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении, и может быть использовано для создания слоев нитрида кремния, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Сущность изобретения заключается в том, что кассету 2 с кремниевыми подложками 3 загружают в реактор 1 через полую камеру 9 шлюзовой камеры 8, образованной корпусом 10. При этом по трубопроводам 12, охватывающим по контуру загрузочное отверстие 4, подают инертный газ - азот, который при помощи вытяжного отверстия, выполненного в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образует завесу, препятствующую попаданию атмосферного воздуха с парами воды и кислорода в реактор 1. Конструктивные особенности устройства обеспечивают снижение дефектности и повышение электрической прочности покрытия. 1 з.п. ф-лы,1 табл. 3 ил.