PROCESS OF DRY ETCHING OF STRUCTURES WITH CONDUCTIVE LAYER OF SURFACE IN TWO-CHAMBER PLANTS

FIELD: microelectronics, manufacture of superlarge integrated circuits. SUBSTANCE: plates are treated in two reaction chambers and spectral control device is connected to first or second chamber depending on value of expression (t+t)*(100-R)*V/100*h+2*R/100+R, where V is etching rate of conductive layer, nm/s; h is thickness of conductive layer, nm; tis time of discharge stabilization; s; tis treatment time required for removal of short-circuits, s; R is nonuniformity of etching of conductive layer, %. With values of expression exceeding 1 spectral control device is connected to first chamber and short- circuits are removed in second chamber. With values ≅1 moment of finish of etching is determined in second chamber (spectral control device is connected to second chamber) and plates are treated in first chamber for the course of time τ determined from expression t=t-[t+t+200*R*h/V*(100+R)*(100-R)] if this time is less than t/ 2 or for the course of t/ 2 in the opposite case, where tis total treatment time. EFFECT: increased productivity and reproducibility of etching process. 1 tbl Использование: микроэлектроника, производство СБИС. Сущность изобретения: обработку пластин проводят в двух реакционных камерах, а прибор спектрального контроля подключают к первой или второй камере в зависимости от значения выражения (t + t) (100 - R)V/100h + 2R/100 + R, где V - скорость травления проводящего слоя, нм/с; h - толщина проводящего слоя, нм;t - время стабилизации разряда, с; t- время обработки необходимое для удаления закороток. с; R - неравномерность травления проводящего слоя.%: при значениях выражения больше 1 прибор спектрального контроля подключают к первой камере, а закоротки удаляют во второй камере, при этом значении ≅ 1 момент окончания травления определяют во второй камере (прибор спектрального контроля подключают к второй камере), а в первой камере проводят обработку пластин в течение времени τ = t-[t+t+200*R*h/V(100+R)(100-R)] определяемого из выраженияτесли это время меньше t /2 или в течение времени t /2 в противоположном случае, где t - полное время обработки. Способ позволяет увеличить производительность и воспроизводимость процесса травления. 1 табл.